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      漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      83

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      99

      最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

      40

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      600V,99mΩ,40A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结（jié）技术的功率MOSFET


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